| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1685948 Nr producenta: IRF135S203 EAN/GTIN: 5059043381367 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor Power MOSFET StragIFF™, Infineon. Rodzina Infineon StrongIFF jest zoptymalizowana do obsługi niskich ;sub> sygnałów DS ;/sub> (wł.) i wysokich prądów. Oferta ta oferuje ulepszone zabezpieczenia bramowe, lawinowe i dynamiczną odporność dv/dt, idealne do zastosowań przemysłowych o niskich częstotliwościach, takich jak napędy silnikowe, narzędzia elektryczne, inwertory i zarządzanie akumulatorami, gdzie wydajność i niezawodność są niezbędne. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 129 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 135 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 8,4 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 441 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |