|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1685906 Nr producenta:
IPB60R160P6ATMA1 EAN/GTIN:
5059043401287 |
| |
|
| | |
| Infineon MOSFET zasilający serii CoolMOS™ E6/P6. Seria Infineon tranzystorów MOSFET serii CoolMOS ;sup> ™ ;/sup> E6 i P6. Te wysoce wydajne urządzenia mogą być używane w kilku zastosowaniach, takich jak korekcja współczynnika mocy (Power Factor Correction, PFC), oświetlenie i urządzenia konsumenckie, a także słoneczna, telekomunikacyjna i serwery. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 23,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | CoolMOS™ P6 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 160 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Maksymalna strata mocy: | 176 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 10.31mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |