| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1684761 Nr producenta: IXDN55N120D1 EAN/GTIN: 5059041334662 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dyskrety IGBT IXYS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 100 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 1200 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 450 W | Typ opakowania: | SOT-227B | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 4 | Szybkość przełączania: | 1MHz | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Wymiary: | 38.2 x 25.07 x 9.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Minimalna temperatura robocza: | -40°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |