IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 450 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1684761

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXDN55N120D1

EAN/GTIN:
5059041334662

Słowa kluczowe:

Dyskrety IGBT IXYS

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	450 W
Typ opakowania:	SOT-227B
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Typ kanału:	N
Liczba styków:	4
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	38.2 x 25.07 x 9.6mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Minimalna temperatura robocza:	-40°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor smd, 1684761, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, IXYS, IXDN55N120D1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 131,043*

Cena obowiązuje od 5 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 10 szt.	PLN 146,743*	PLN 180,494	za szt.
od 20 szt.	PLN 145,013*	PLN 178,366	za szt.
od 50 szt.	PLN 139,813*	PLN 171,97	za szt.
od 100 szt.	PLN 137,343*	PLN 168,932	za szt.
od 5000 szt.	PLN 131,043*	PLN 161,183	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.