IGBT Ic 570 A Uce 650 V 1 TO-264 Pojedynczy kanał: N 880 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1684588

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXXK110N65B4H1

EAN/GTIN:
5059041300186

Słowa kluczowe:

Dyskrety IGBT IXYS

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	570 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	880 W
Liczba tranzystorów:	1
Typ opakowania:	TO-264
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	10 → 30kHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	20.3 x 5.3 x 26.6mm
Energia znamionowa:	3mJ
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 1684588, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, IXYS, IXXK110N65B4H1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1 549,55*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 25 szt. (od PLN 61,982* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 1 709,82*	PLN 2 103,0786	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 1 698,72*	PLN 2 089,4256	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 1 639,37*	PLN 2 016,4251	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 1 611,92*	PLN 1 982,6616	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 1 549,55*	PLN 1 905,9465	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.