| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1684585 Nr producenta: IXXH80N65B4H1 EAN/GTIN: 5059041305464 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dyskrety IGBT IXYS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 430 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 625 W | Liczba tranzystorów: | 1 | Typ opakowania: | TO-247AD | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Szybkość przełączania: | 5 → 30kHz | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Wymiary: | 16.1 x 5.2 x 21.3mm | Energia znamionowa: | 5.2mJ | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Minimalna temperatura robocza: | -55°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |