Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 430 A Uce 650 V 1 TO-247AD Pojedynczy kanał: N 625 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Additonal Images
Nr artykułu:
     3MTJS-1684585
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXXH80N65B4H1
EAN/GTIN:
     5059041305464
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Dyskrety IGBT IXYS
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
430 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
625 W
Liczba tranzystorów:
1
Typ opakowania:
TO-247AD
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Szybkość przełączania:
5 → 30kHz
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Wymiary:
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Energia znamionowa:
5.2mJ
Maksymalna temperatura robocza:
+175°C
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 1684585, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, IXYS, IXXH80N65B4H1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 166,2302*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 30 szt. (od PLN 38,87434* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 1 320,30*
PLN 1 623,969
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 1 298,0001*
PLN 1 596,54012
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 1 246,2702*
PLN 1 532,91235
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 1 223,8401*
PLN 1 505,32332
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 1 166,2302*
PLN 1 434,46315
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.