|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1663429 Nr producenta:
FDD18N20LZ EAN/GTIN:
5059042267020 |
| |
|
| | |
| UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET to Fairchild Semiconductor Charakteryzuje się najmniejszą rezystancją w stanie rzeczywistym wśród płaskich tranzystorów MOSFET, a także zapewnia doskonałe parametry przełączania i większą lawinową moc. Ponadto wewnętrzna dioda elektrostatyczna Otworu Wtryskowego umożliwia przeciąganie MOSFET UniFET-II™ o napięciu ponad 2000V HBM. Tranzystory UniFET™ MOSFET są odpowiednie do przełączania aplikacji przetworników mocy, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC), zasilanie telewizora z płaskim ekranem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) i stateczniki lamp elektronicznych. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 16 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | UniFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 130 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 89 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1663429, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDD18N20LZ |
| | |
| |