| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1662959 Nr producenta: 2N5551BU EAN/GTIN: 5059042261158 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystory małej mocy NPN, powyżej 100V, Fairchild Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 600 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160 V | Typ opakowania: | TO-92 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Maksymalna strata mocy: | 625 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 180 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 6 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 100 MHz | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter: | 0,20 V |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1662959, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, 2N5551BU |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |