|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1662713 Nr producenta:
FDME1024NZT EAN/GTIN:
5059042237917 |
| |
|
| | |
| PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor. W modelu Semis PowerTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek bramki, mały układ przywracania do tyłu i miękką diodę korpusu układu przywracania jazdy do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznych poprawek w zasilaczach AC/DC. Wydajność diod miękkich MOSFET PowerTTrench® MOSFET jest w stanie wyeliminować obwód tabakowy lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | MicroFET cienki | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 160 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.4V | Maksymalna strata mocy: | 1,4 W | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +8 V | Długość: | 1.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1662713, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDME1024NZT |
| | |
| |