| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1662574 Nr producenta: FDS86252 EAN/GTIN: 5059042287158 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | PowerTrench® N-Channel MOSFET, do 9.9A, Fairchild Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | SOIC | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 105 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 5 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1662574, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDS86252 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |