|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1660942 Nr producenta:
STB18N60DM2 EAN/GTIN:
5059042263589 |
| |
|
| | |
| N-Channel z serii MDmesh DM2, STMicroelectronics. Tranzystory MOSFET MDmesh DM2 oferują niski poziom RDS(on), a dzięki udoskonalonemu czasowi przywracania diod zwiększającemu wydajność, seria ta jest zoptymalizowana pod kątem topologii ZVS z przełączaniem fazowym i fazowym. Wysoka wydajność dV/dt zapewnia większą niezawodność systemu Kwalifikacja AEC-Q101 Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | MDmesh DM2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 290 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 90 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 9.35mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1660942, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STB18N60DM2 |
| | |
| |