|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1660799 Nr producenta:
IPD100N04S402ATMA1 EAN/GTIN:
5059043341026 |
| |
|
| | |
| Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™ T2. Infineon's nowy model OptiMOS ™ -T2 zawiera szereg energooszczędnych tranzystorów MOSFET z redukcją emisji CO2 i napędami elektrycznymi. Nowa rodzina produktów OptiMOS™ -T2 rozszerza istniejące rodziny produktów OptiMOS™ -T i OptiMOS™. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Produkty firmy Infineon zostały zaprojektowane tak, aby spełniały wymagania dotyczące wydajności energetycznej i gęstości mocy zaostrzonych norm regulacji napięcia nowej generacji w zastosowaniach obliczeniowych.. Tryb rozszerzenia kanału N Zakwalifikowana AEC MSL1 do 260°C Peak reflow Temperatura pracy: 175°C Produkt ekologiczny (zgodny z RoHS) Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | OptiMOS™ -T2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 2 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 150 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1660799, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD100N04S402ATMA1 |
| | |
| |