MOSFET N-kanałowy 21 mA SOT-23 600 V SMD Pojedynczy 500 mW 600 omów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1657534

Producent:
Infineon

Nr producenta:
BSS127

EAN/GTIN:
5059043456874

Słowa kluczowe:

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	21 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	600 V
Typ opakowania:	SOT-23
Seria:	SIPMOS®
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	600 omów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	2.6V
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.4V
Maksymalna strata mocy:	500 mW
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	2.9mm

Dalsze słowa kluczowe: 1657534, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSS127

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 922,68*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 3 000 szt. (od PLN 0,30756* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 1 176,12*	PLN 1 446,6276	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 1 096,35*	PLN 1 348,5105	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 972,42*	PLN 1 196,0766	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 956,97*	PLN 1 177,0731	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 922,68*	PLN 1 134,8964	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.