MOSFET N-kanałowy 30 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 6 W 3,9 milioma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1657275

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI4164DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040651432

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, od 30 V do 50 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	30 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	3,9 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.2V
Maksymalna strata mocy:	6 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 1657275, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4164DYT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 2,496*

Cena obowiązuje od 1 250 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 2500 szt.	PLN 2,586*	PLN 3,181	za szt.
od 5000 szt.	PLN 2,576*	PLN 3,168	za szt.
od 12500 szt.	PLN 2,536*	PLN 3,119	za szt.
od 25000 szt.	PLN 2,506*	PLN 3,082	za szt.
od 1250000 szt.	PLN 2,496*	PLN 3,07	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.