Płytka ewaluacyjna STMicroelectronics IGBT, Sterownik MOSFET Płyta rozwojowa Sterowniki bramki wysokiego napięcia

STMicroelectronics - zestaw płytek demonstracyjnych VALSTDRV600HB8Zestaw płytki demonstracyjnej STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 jest przeznaczony dla niskonapięciowych sterowników bramki zgodnych z serii L638xE i L639x i umożliwia ocenę wszystkich funkcji i funkcji sterownika bramki podczas jazdy na półmostkowym stopniu mocy opartym na wielokanałowych tranzystorach MOSFET lub IGBT w kilku różnych pakietach i przy napięciu znamionowym do 600 V. Najważniejsze elementy, takie jak kondensator filtrujący i kondensator rozruchowy, są już zamontowane na płytce drukowanej. Zakresy pokrycia komponentów pasywnych są zgodne zarówno z SMT, jak i T. H. Komponenty umożliwiają szybką i łatwą konfigurację i modyfikację. Zestaw płytki demonstracyjnej jest używany Gates L638xE i L639xCharakterystyka i zalety• Ability do napędzania asymetrycznych półmostów i silników nieopornych z przełączaniem • Aktywny wysoki lub aktywny niski poziom LIN podczas jazdy z jedną bramą wejściową • Kompaktowa i uproszczona budowa • Zgodność z tranzystorami MOSFET/IGBTs w DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP • Wyspecjalizowane wejścia sterujące jazdą po stronie niskiego i wysokiego napięcia • Kierowniki Bramy w zestawie mają różne funkcje i cechy • Konfiguracja półmostków • Rampa wysokiego napięcia do 600 V. • Zintegrowana dioda bootstrap • Zablokowanie w celu zabezpieczenia przed przewodzeniem poprzecznym • Czas opóźnienia wewnętrznego lub brak czasu nieterminowego