|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1646985 Nr producenta:
STI28N60M2 EAN/GTIN:
5059042168372 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V
Seria = STI28
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 150 miliomów
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V
Minimalne napięcie progowe VGS = 2V
Maksymalna strata mocy = 170 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = +25 V
Liczba elementów na układ = 1mm
Minimalna temperatura robocza = -55°CV Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 22 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | STI28 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 150 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 170 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | +25 V | Długość: | 10.4mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1646985, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STI28N60M2 |
| | |
| |