| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1646985 Nr producenta: STI28N60M2 EAN/GTIN: 5059042168372 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = STI28 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 150 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Minimalne napięcie progowe VGS = 2V Maksymalna strata mocy = 170 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = +25 V Liczba elementów na układ = 1mm Minimalna temperatura robocza = -55°CV Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 22 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | STI28 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 150 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 170 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | +25 V | Długość: | 10.4mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1646985, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STI28N60M2 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |