MOSFET N-kanałowy 4 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 80 mΩ

Liczba:

opakowania

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1631128

Producent:
onsemi

Nr producenta:
NTMD4N03R2G

EAN/GTIN:
5059042454277

Słowa kluczowe:

Podwójny MOSFET N-Channel, ON Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	80 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	2 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 1631128, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMD4N03R2G

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 5,205*

Cena obowiązuje od 250 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 1,041* za szt.)

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 500 opakowania

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 500 opakowania	PLN 5,585*	PLN 6,86955	za opakowanie
od 1000 opakowania	PLN 5,515*	PLN 6,78345	za opakowanie
od 2500 opakowania	PLN 5,365*	PLN 6,59895	za opakowanie
od 5000 opakowania	PLN 5,305*	PLN 6,52515	za opakowanie
od 250000 opakowania	PLN 5,205*	PLN 6,40215	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.