| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1631128 Nr producenta: NTMD4N03R2G EAN/GTIN: 5059042454277 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Podwójny MOSFET N-Channel, ON Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOIC | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 80 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 2 W | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1631128, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMD4N03R2G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |