| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1630258 Nr producenta: NGTB35N65FL2WG EAN/GTIN: 5059042427875 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor. Izolowane tranzystory bipolarne (IGBT) do napędu silnika i innych zastosowań związanych z przełączaniem pod wysokim napięciem. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 70 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 300 W | Typ opakowania: | TO-247 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Szybkość przełączania: | 1MHz | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Wymiary: | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Minimalna temperatura robocza: | -55°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |