| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1530723 Nr producenta: PMXB75UPEZ EAN/GTIN: 5059043631646 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DFN1010D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 950 mΩ Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = -1V Minimalne napięcie progowe VGS = -0.4V Maksymalna strata mocy = 8330 mW Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = 8 V Szerokość = 1.05mm Wysokość = 0.36mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | DFN1010D-3 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 950 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | -1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | -0.4V | Maksymalna strata mocy: | 8330 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8 V | Długość: | 1.15mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1530723, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, PMXB75UPEZ |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |