|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1530723 Nr producenta:
PMXB75UPEZ EAN/GTIN:
5059043631646 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V
Typ opakowania = DFN1010D-3
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 4
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 950 mΩ
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = -1V
Minimalne napięcie progowe VGS = -0.4V
Maksymalna strata mocy = 8330 mW
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = 8 V
Szerokość = 1.05mm
Wysokość = 0.36mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | DFN1010D-3 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 950 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | -1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | -0.4V | Maksymalna strata mocy: | 8330 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8 V | Długość: | 1.15mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1530723, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, PMXB75UPEZ |
| | |
| |