|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1527762 Nr producenta:
BUK7M15-60EX EAN/GTIN:
5059043083025 |
| |
|
| | |
| Układ MOSFET 60 V z kanałem N, standardowy poziom 15 mΩ, obudowa LFPAK33. Układ MOSFET standardowego poziomu z kanałem N w obudowie LFPAK33 (Power33) z technologią TrenchMOS. Ten produkt został zaprojektowany i zakwalifikowany zgodnie z normą AEC Q101, co umożliwia wykorzystanie go w zastosowaniach motoryzacyjnych o wysokiej wydajności.Zgodność z Q101 Powtarzalny układ lawinowy Możliwość pracy w temperaturach do 175°C Rzeczywista bramka standardowego poziomu o napięciu znamionowym VGS(th) powyżej 1 V przy 175°C Systemy motoryzacyjne 12 V Silniki, lampy i sterowanie elektromagnetyczne Sterowanie przekładniami Ultra-wysoka wydajność przełączania zasilania Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 43 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | LFPAK33 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 34 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 62 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 3.4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1527762, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, BUK7M1560EX |
| | |
| |