| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1526382 Nr producenta: TP0610K-T1-E3 EAN/GTIN: 5059040670556 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel MOSFET, 30 V do 80 V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 185 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 9 omów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | -3V | Minimalne napięcie progowe VGS: | -1V | Maksymalna strata mocy: | 350 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.04mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1526382, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, TP0610KT1E3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |