| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1523684 Nr producenta: PSMN2R8-40PS,127 EAN/GTIN: 5059043672113 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 5,6 milioma Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.6V Minimalne napięcie progowe VGS = 1V Maksymalna strata mocy = 211 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = 20 V Maksymalna temperatura robocza = +175°Cmm Wysokość = 4.7mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | TO-220 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 5,6 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.6V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 211 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 10.3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1523684, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, PSMN2R840PS,127 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |