| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1513073 Nr producenta: PMXB120EPEZ EAN/GTIN: 5059043038780 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Układy MOSFET z kanałem P. Idealny wybór do projektu, gdy kanały N nie są odpowiednie. Nasz szeroki katalog układów MOSFET obejmuje również wiele urządzeń z kanałem P opartych na wiodącej technologii Trench firmy Nexperia. Układy pracujące przy napięciach znamionowych od 12 V do 70 V, umieszczone w obudowach o małej i średniej mocy, charakteryzują się uznaną wydajnością oraz niezawodnością.Układ MOSFET 30 V z kanałem P w technologii Trench. Tranzystor polowy (FET) z kanałem P z trybem wzmocnienia w bardzo małej obudowie DFN1010D-3 (SOT1215) bez wyprowadzeń do montażu powierzchniowego (SMD), wykonany w technologii Trench MOSFET.Technologia Trench MOSFET Bardzo mała i bardzo cienka plastikowa obudowa SMD bez wyprowadzeń: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Odsłonięty styk drenu zapewniający doskonałe przewodnictwo cieplne Zabezpieczenie przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) 1 kV HBM Rezystancja dren-źródło w stanie włączenia RDSon = 350 miliomów Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | DFN1010D-3, SOT1215 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 187 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | -2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | -1V | Maksymalna strata mocy: | 8,33 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 1.15mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |