|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1464445 Nr producenta:
SQ2361ES-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040665101 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = SOT-23
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 320 mΩ
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = -2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS = -1.5V
Maksymalna strata mocy = 2 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = 20 V
Szerokość = 1.4mm
Wysokość = 1.02mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 320 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | -2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | -1.5V | Maksymalna strata mocy: | 2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 3.04mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1464445, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQ2361EST1_GE3 |
| | |
| |