| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1464445 Nr producenta: SQ2361ES-T1_GE3 EAN/GTIN: 5059040665101 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 320 mΩ Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = -2.5V Minimalne napięcie progowe VGS = -1.5V Maksymalna strata mocy = 2 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = 20 V Szerokość = 1.4mm Wysokość = 1.02mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 320 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | -2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | -1.5V | Maksymalna strata mocy: | 2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 3.04mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1464445, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQ2361EST1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |