|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1459169 Nr producenta:
IGW50N65H5FKSA1 EAN/GTIN:
5059043059969 |
| |
|
| | |
| Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu. Zakres napięć kolektora-emitera od 600 do 650V. Bardzo niskie VCEsat Niskie straty związane z wyłączeniem Krótki prąd zwrotny Niskie zakłócenia elektromagnetyczne Maksymalna temperatura połączenia 175°C. Dalsze informacje: | | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 50 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 305 W | Typ opakowania: | TO-247 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Wymiary: | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | Energia znamionowa: | 0.7mJ | Pojemność bramki: | 3000pF | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Minimalna temperatura robocza: | -40°C |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |