|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1455305 Nr producenta:
FDV303N EAN/GTIN:
5059042563207 |
| |
|
| | |
| Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 680 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 450 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.65V | Maksymalna strata mocy: | 350 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | +8 V | Długość: | 2.92mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |