Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 366 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-1453469
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     NGTB40N65FL2WG
EAN/GTIN:
     5059042687156
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor. Izolowane tranzystory bipolarne (IGBT) do napędu silnika i innych zastosowań związanych z przełączaniem pod wysokim napięciem.
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
366 W
Typ opakowania:
TO-247
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Szybkość przełączania:
1MHz
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Wymiary:
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maksymalna temperatura robocza:
+175°C
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 1453469, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NGTB40N65FL2WG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 14,06*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 30 szt.
PLN 22,491*
PLN 27,664
za szt.
od 60 szt.
PLN 22,421*
PLN 27,578
za szt.
od 120 szt.
PLN 17,984*
PLN 22,12
za szt.
od 150 szt.
PLN 17,354*
PLN 21,345
za szt.
od 270 szt.
PLN 16,397*
PLN 20,168
za szt.
od 300 szt.
PLN 15,957*
PLN 19,627
za szt.
od 510 szt.
PLN 14,97*
PLN 18,413
za szt.
od 15000 szt.
PLN 14,06*
PLN 17,294
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.