| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-134295 Nr producenta: PMV65XP,215 EAN/GTIN: 5059043357553 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET P-Nexperia Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3.9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 76 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 0.9V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.47V | Maksymalna strata mocy: | 1.92 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -12 V, +12 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 134295, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, PMV65XP,215 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |