| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1339834 Nr producenta: BSC009NE2LS5ATMA1 EAN/GTIN: 5059043598970 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™5 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25 V | Typ opakowania: | SuperSO8 5 x 6 | Seria: | OptiMOS™ 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,25 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 74 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | +16 V | Długość: | 5.49mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1339834, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSC009NE2LS5ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |