| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1250591 Nr producenta: TK72E08N1,S1X(S EAN/GTIN: 5059041127783 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET N-Channel, seria TK6 i TK7, Toshiba Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 157 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | U-MOSVIII-H | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 4,3 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 192 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.16mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1250591, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, TK72E08N1,S1X(S |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |