| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1222881 Nr producenta: DMN3110S-7 EAN/GTIN: 5059043364858 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, 30V, Diody Inc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 110 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.3V | Maksymalna strata mocy: | 1,8 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1222881, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN3110S7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |