MOSFET N-kanałowy 4,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 800 mW 120 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1222873

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMG2302U-7

EAN/GTIN:
5059043287195

Słowa kluczowe:

N-Channel MOSFET, 12 V do 28 V, Diody Inc

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	SOT-23
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	120 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	800 mW
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	+8 V
Długość:	3mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 1222873, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMG2302U7

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1 057,41*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 3 000 szt. (od PLN 0,35247* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 1 361,55*	PLN 1 674,7065	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 1 333,02*	PLN 1 639,6146	za opakowanie
od 3 opakowania	PLN 1 165,98*	PLN 1 434,1554	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 1 107,51*	PLN 1 362,2373	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 1 101,75*	PLN 1 355,1525	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 1 057,41*	PLN 1 300,6143	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.