MOSFET N-kanałowy 600 mA E-Line 60 V Pojedynczy 700 mW 1 om

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1220000

Producent:
Diodes

Nr producenta:
ZVN4206ASTZ

EAN/GTIN:
5059043152868

Słowa kluczowe:

N-Channel MOSFET, od 40 V do 90 V, Diody Inc

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	600 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	E-Line
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	1 om
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	700 mW
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	4.77mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1220000, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZVN4206ASTZ

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1,373*

Cena obowiązuje od 1 000 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 2000 szt.	PLN 1,463*	PLN 1,799	za szt.
od 4000 szt.	PLN 1,453*	PLN 1,787	za szt.
od 10000 szt.	PLN 1,413*	PLN 1,738	za szt.
od 20000 szt.	PLN 1,393*	PLN 1,713	za szt.
od 1000000 szt.	PLN 1,373*	PLN 1,689	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.