| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1216303 Nr producenta: NTGS5120PT1G EAN/GTIN: 5059042112924 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel Power MOSFET, 30 V do 500 V, ON Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | TSOP-6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 142 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 1,4 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1216303, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTGS5120PT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |