Tranzystor MOSFET, Typ=STW4N150, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=35 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=1.6 kV, Rezystancja włączenia (Rds(on))=5 Ω, Rozpraszanie mocy (Pd)=160 W, Styki=3, Temperatura robocza, maks.=150 °C, Temperatura robocza, min.=-55 °C, Temperatura rozpływu maks.=-999, Biegunowość tranzystora=Kanał N, Konfiguracja=Pojedyncza, Opakowanie=Rura, Typ mocowania=Przewlekany, Typ obudowy=TO-247 Dalsze informacje:  | | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 | Kraj pochodzenia: | US | Numer celny: | 8541100000 | Wysokość: | 3 mm | Waga netto: | 3 g | Głębokość: | 30 mm | Waga brutto: | 3 g | Szerokość: | 15 mm |
|