Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 614 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 390ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTA34N65X2
od PLN 15,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74 A DFN 80 V SMD Dwa 3,1 W 8,8 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
onsemi
NVMFD6H840NLT1G
od PLN 4,527*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W ...
IXYS
IXTP8N70X2M
od PLN 6,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3PF Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: unipolarny ...
IXYS
IXTQ48N65X2M
od PLN 28,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247 650 V 0.029 Ω (1 Oferta) 
ON Semiconductor MOSFET to nowa rodzina tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, które wykorzystują technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na obciążenia i niższą ...
onsemi
FCH029N65S3-F155
od PLN 51,623*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,7A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK14A65W,S5X(M
od PLN 7,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247-4 650 V 0.0193 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTH4LN019N65S3H
od PLN 73,023*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3PF Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipolarny ...
IXYS
IXTQ34N65X2M
od PLN 23,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 89 W 11,4 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źród...
onsemi
NTMFS6H836NT1G
od PLN 3 305,625*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPP034NE7N3GXKSA1
od PLN 7,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75.4 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0.0109 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75.4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezysta...
onsemi
NTB011N15MC
od PLN 8,556*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ4N65CP
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-263-7L 1200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...
ROHM Semiconductor
SCT4018KW7TL
od PLN 87,394*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPI65R280E6XKSA1
od PLN 5,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247AC 200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFP4127PBF
od PLN 15,01*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   971   972   973   974   975   976   977   978   979   980   981   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.