Tranzystory MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 605/1 526)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,2W; SOT323 (1 Oferta)

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2...

Micro Commercial Components

BSS123W-TP

od PLN 0,705*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 156 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 156 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

BSC034N10LS5ATMA1

od PLN 4,073*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 150 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.003 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancj...

Diodes

DMT32M5LPS-13

od PLN 1,407*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 150 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0036 O, 0.0048 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Infineon

ISC0802NLSATMA1

od PLN 17 508,75*
za 5 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 150 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD 0.0114 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Vishay

SUM90100E-GE3

od PLN 8,885*
za szt.

Infineon BSZ018N04LS6 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

BSZ018N04LS6ATMA1

od PLN 2,68108*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 150 A TO-220 100 V 0.0045 Ω (1 Oferta)

Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Tranzystor M...

Vishay

SUP70042E-GE3

od PLN 8,244*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 100A; 214W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polary...

Texas Instruments

CSD19531KCS

od PLN 4,46*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 150 A TO-220 200 V 0.0109 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...

Vishay

SUP90100E-GE3

od PLN 9,70*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 150 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD Pojedynczy 150 W 3 mΩ (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SQM40022EM_GE3

od PLN 3,857*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; Idm: 0,68A; 0,2W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: u...

onsemi

BSS123W

od PLN 1,52*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 159 A PowerPAIR 6 x 5FS 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 159 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAIR 6 x 5FS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów ...

Vishay

SIZF640DT-T1-GE3

od PLN 19 027,68*
za 3 000 szt.

Infineon IPI030N10N3 G tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IPI030N10N3GXKSA1

od PLN 9,76*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 153 A PowerPAK SO-8DC 80 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 153 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SIDR5802EP-T1-RE3

od PLN 3,726*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,32A; 0,7W; TO92 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzac...

Diodes

ZVN2110A

od PLN 1,11*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 .. 1526 Dalej

Tranzystory MOSFET (22 882 ofert spośród 5 025 769 artykułów)

"Tranzystor MOSFET"