Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 13 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.304 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma zestaw typu D2PAK (TO-263) o prądzie odpływowym 13 ANiska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i przewodzeni...
Vishay
SIHB15N80AE-GE3
od PLN 5,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,3 A TO-252 950 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-252 Liczba styków = 3
Infineon
SP005547015
od PLN 10 909,75*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25A; Idm: 87A; 182W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 182W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120S
od PLN 50,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał ...
Infineon
IRF7413ZTRPBF
od PLN 1,234*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B
od PLN 130,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247-4 1200 V 220 m.Ω (1 Oferta) 
MOSFET Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ w obudowie TO247-4 wykorzystuje najnowocześniejszy proces półprzewodników do rowów zoptymalizowany pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W porówn...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
od PLN 16,802*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-247-4 1200 V 30 m.Ω (2 ofert) 
Infineon CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-4 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W po...
Infineon
IMZ120R030M1HXKSA1
od PLN 55,898*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0,23 oma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = M6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,23...
ST Microelectronics
STD18N60M6
od PLN 4,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 60A; 139W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO120E0120
od PLN 45,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,5 A SOP 40 V SMD 0.0084 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
SH8KB7TB1
od PLN 6 364,725*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: BASiC SEMICONDUCTOR ...
BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK
od PLN 57,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A SuperSO8 5 x 6 34 V SMD 0.009 O. (1 Oferta) 
Seria produktów OptiMOS firmy Infineon jest dostępna w pakietach o wysokiej wydajności, które zapewniają pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Te produkty firmy Infineon zostały zaprojekto...
Infineon
BSC0996NSATMA1
od PLN 1,436*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 7A; Idm: 25A; 85W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEC
od PLN 32,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247AC 800 V SMD 0.35 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Niska wartoś...
Vishay
SIHG15N80AEF-GE3
od PLN 9,523*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B4
od PLN 91,33*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.