 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET 75 A PDFN56 40 V 7 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 7 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięc... |
Taiwan Semiconductor TSM070NB04LCR |
od PLN 9 281,30*
za 2 500 szt. |
|
|
|
Microchip Technology MCP14A0153-E/MS |
od PLN 3,11*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 240V, 260mA, SOT-89 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS87H6327FTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=260 mA, Czas narastania=3.5 ns, Czas opadania=27.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17.6 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.7 ns, Napięcie ... |
|
od PLN 0,812*
za szt. |
|
|
MOSFET 75 A PDFN56 40 V 7 m.Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz... |
Taiwan Semiconductor TSM070NB04LCR |
od PLN 3,555*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MCP14A1201-E/MS |
od PLN 7,32*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -200V, -11A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF9640PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-11 A, Czas narastania=43 ns, Czas opadania=38 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 2,29*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,757*
za szt. |
|
|
MOSFET 8,7 A TO-220 150 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IRFI4019H-117PXKMA1 |
od PLN 6,61*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MCP14A1202-E/MS |
od PLN 7,32*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,22*
za szt. |
|
|
MOSFET 8,7 A TO-220 150 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IRFI4019H-117PXKMA1 |
od PLN 6,45*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MCP14A0154-E/MS |
od PLN 3,30*
za szt. |
|
|
MOSFET 80 A PDFN56 30 V 8.5 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 8.5 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napi... |
Taiwan Semiconductor TSM055N03EPQ56 |
od PLN 7 265,675*
za 2 500 szt. |
|
|
|
Microchip Technology MCP14A0301-E/MS |
od PLN 2,98*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,02*
za szt. |
|
|
