Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 512 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IC: driver; półmostek MOSFET; high-/low-side,sterownik bramkowy (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: DIP8 Moc: 1W Napięcie zasilania: 10...20V DC Czas załączania: 320ns Czas wyłączania: 235ns Prąd wyjściowy: -600....
Infineon
IRS2106PBF
od PLN 10,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, TO-92 (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BS170-D27Z, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R...
onsemi
BS170-D27Z
od PLN 0,315*
za szt.
 
 szt.
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 35V, 4A, SOIC (2 ofert) 
Sterownik MOSFET, Typ=IXDI604SIATR, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=14 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=4 A, Styki=8, Szerokość=4 ...
IXYS
IXDI604SIATR
od PLN 4,065*
za szt.
 
 szt.
MOSFET 121 A PDFN56 40 V 3.3 m.Ω (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 3.3 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne nap...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04LCR
od PLN 5,73*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek MOSFET; high-/low-side,sterownik bramkowy (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: DIP8 Moc: 1W Napięcie zasilania: 10...20V DC Czas załączania: 160ns Czas wyłączania: 150ns Prąd wyjściowy: -270....
Infineon
IR2101PBF
od PLN 6,452*
za szt.
 
 szt.
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 35V, 4A, SOIC (2 ofert) 
Sterownik MOSFET, Typ=IXDI604SITR, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=14 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=4 A, Styki=8, Szerokość=4 m...
IXYS
IXDI604SITR
od PLN 6,703*
za szt.
 
 szt.
MOSFET 124 A PDFN56 30 V 3.6 m.Ω (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd drenu = 124 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PDFN56 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 3.6 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksy...
Taiwan Semiconductor
TSM036N03PQ56
od PLN 5 997,275*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Sterownik bramki MOSFET 16-pinowy 2,5 A SOIC W IR2113SPBF 20V (4 ofert) 
Sterowniki MOSFET i IGBT Gate, z wysoką i niską stroną Infineon. Układy scalone sterownika bramki firmy Infineon do sterowania urządzeniami zasilającymi MOSFET lub IGBT w konfiguracjach z wysoką i ...
Infineon
IR2113SPBF
od PLN 8,443*
za szt.
 
 szt.
Sterownik MOSFET, Podwójna, 5 ... 20V, 5A, MSOP (2 ofert) 
Sterownik MOSFET, Typ=IX4340UETR, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Długość=3 mm, Maks. napięcie zasilania=20 V, Min. napięcie zasilania=5 V, Prąd wyjściowy=5 A, Styki=8, Szerokość=3 mm, ...
IXYS
IX4340UETR
od PLN 2,428*
za szt.
 
 szt.
MOSFET + Dioda N-kanałowy 82 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 82 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSZ0503NSIATMA1
od PLN 3,672*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek MOSFET; high-/low-side,sterownik bramkowy (2 ofert) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
IRS2104SPBF
od PLN 3,98*
za szt.
 
 szt.
Sterownik MOSFET, Podwójna, 5 ... 20V, 5A, SOIC (2 ofert) 
Sterownik MOSFET, Typ=IX4340NTR, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=20 V, Min. napięcie zasilania=5 V, Prąd wyjściowy=5 A, Styki=8, Szerokość=4 mm, T...
IXYS
IX4340NTR
od PLN 2,128*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek MOSFET; high-/low-side,sterownik bramkowy (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO16-W Moc: 1,25W Napięcie zasilania: 10...20V DC Czas załączania: 205ns Czas wyłączania: 145ns Prąd wyjściowy: ...
Infineon
IR2112STRPBF
od PLN 5,748*
za szt.
 
 szt.
MOSFET ON Semiconductor FCH072N60F N/A N/A FCH072N60F (2 ofert) 
MOSFET ON Semiconductor | FCH072N60F Dane techniczne: C(ISS): 8660 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 52 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: OnS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °...
onsemi
FCH072N60F
od PLN 17,79*
za szt.
 
 szt.
Sterownik MOSFET, Pojedyncza / Nieodwracająca, 4.5 ... 35V, 14A, SOIC (2 ofert) 
Sterownik MOSFET, Typ=IXDD614SITR, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=25 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=14 A, Styki=8, Szerokość=4 ...
IXYS
IXDD614SITR
od PLN 15,993*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.