 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT050N06, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=5.1 ns, Czas opadania=5.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,14*
za szt. |
|
|
|
MikroElektronika MIKROE-6075 |
od PLN 56,47*
za szt. |
|
|
|
Infineon DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 |
od PLN 242,535*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology HV9801ALG-G |
od PLN 3,28*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPI120N08S403AKSA1 |
od PLN 20,738*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology HV9921N8-G |
od PLN 2,94*
za szt. |
|
|
Diotec MMFTP3334K MOSFET 1 szt. (1 Oferta) MOSFET Dane techniczne: I(d): -4 A · Moc (maks) P(TOT): 1 W · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23 · U(DSS): -30 V |
|
od PLN 0,64*
za szt. |
|
|
|
Infineon DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 |
od PLN 6 737,79408*
za 24 szt. |
|
|
|
Texas Instruments LM5100BMA/NOPB |
od PLN 8,91*
za szt. |
|
|
Infineon Technologies IPP60R190C6XKSA1 MOSFET 1 szt. (2 ofert) MOSFETy mocy INFINEON IPA_, IPP_ TO Dane techniczne: I(d): 20.20 A · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 151 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 600 V · R(DS) wł.: 0.19 Ω · Sposób montażu: do mon... |
|
od PLN 12,15*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
od PLN 11 765,56608*
za 24 szt. |
|
|
|
Texas Instruments LM5109MA/NOPB |
od PLN 4,99*
za szt. |
|
|
Diotec MMFTP3401-AQ MOSFET 1 szt. (1 Oferta) MOSFET Dane techniczne: I(d): -4 A · Moc (maks) P(TOT): 1.4 W · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23 · U(DSS): -30 V |
|
od PLN 0,64*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
od PLN 502,446*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,36*
za szt. |
|
|
