 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon BSZ065N06LS5ATMA1 |
od PLN 3,598*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,406*
za szt. |
|
|
|
Infineon IAUC60N04S6N044ATMA1 |
od PLN 0,939*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSL307SPH6327XTSA1 |
od PLN 1,093*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 7 A SC-65 1500 V 12 omów (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1500 V Seria = 2SK1317 Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 12 omów Tryb kanałowy = Rozszerzeni... |
Renesas Electronics 2SK1317-E |
od PLN 16,197*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,565*
za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 16,288*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD110N12N3GATMA1 |
od PLN 4,314*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,065*
za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,045*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 75 A TSDSON 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TSDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon ISZ080N10NM6ATMA1 |
od PLN 2,174*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET P-kanałowy 3,9 A SOT-223 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 1,772*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STL13N60M6 |
od PLN 11 756,55*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,337*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP052NE7N3GXKSA1 |
od PLN 4,646*
za szt. |
|
|
