Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 918 878 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 4,5A; Idm: 30A; 83W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDD10N20LZTM
od PLN 1,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 17A; 170W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polary...
Infineon
IRFS23N20DTRLP
od PLN 3,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-23 45 V Montaż powierzchniowy, otwór 100 mA BC847CT116 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 45 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy, otwór Minimalne wzmocnienie prądu...
ROHM Semiconductor
BC847CT116
od PLN 0,104*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 880mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14M100B
od PLN 30,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-323 60 V Montaż powierzchniowy 500 mA 2SC5876U3HZGT106 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 500 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 60 V Typ opakowania = SOT-323 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementó...
ROHM Semiconductor
2SC5876U3HZGT106
od PLN 0,355*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; 110W; DPAK (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryza...
ST Microelectronics
STD20NF20
od PLN 3,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT8009 65 V Montaż powierzchniowy 100 mA BC846AQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 65 V Typ opakowania = SOT8009 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC = 110
Nexperia
BC846AQCZ
od PLN 0,179*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 5,7A; 74W; TO220AB (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRF630PBF
od PLN 2,141*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 19A; 190W; TO247AC (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFP250PBF
od PLN 5,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 200 mA TBC847B,LM(T (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 200 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC = 2...
Toshiba
TBC847B,LM(T
PLN 0,057*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 980mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14F100S
od PLN 35,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-346 32 V Montaż powierzchniowy 800 mA 2SD1781KT146Q (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 800 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 32 V Typ opakowania = SOT-346 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC = ...
ROHM Semiconductor
2SD1781KT146Q
od PLN 0,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: u...
Vishay
IRL640STRLPBF
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT8009 65 V Montaż powierzchniowy 100 mA BC846BQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 65 V Typ opakowania = SOT8009 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC = 200
Nexperia
BC846BQCZ
od PLN 0,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna Moc roz...
onsemi
FQD12N20LTM-F085
od PLN 2,38*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.