Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 562/1 394)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 64ns Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W P...

IXYS

IXTA110N12T2

od PLN 8,23*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A TO-263-7 40 V SMD 0.0011 O. (1 Oferta)

System OptiMOS 40V firmy Infineon to doskonały wybór do synchronicznej prostowania zasilaczy Switched Mode (SMPS), takich jak serwery i komputery stacjonarne. Ponadto urządzenia te mogą być używane...

Infineon

IPB011N04LGATMA1

PLN 10,255*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 16A; 75W; TO252 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 54mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W P...

Alpha & Omega Semiconductor

AOD2544

od PLN 1,36*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 240 A PG HSOG-8 (TOLG) 80 V SMD 0.0019 O. (1 Oferta)

Infineon oferuje szeroką gamę tranzystorów MOSFET o mocy 75 V-100 V z kanałów N, wykorzystujących nową technologię OptiMOS w różnych pakietach. Zakres RDS(on) wynosi od 1,2 do 190 mm, redukując emi...

Infineon

IAUS240N08S5N019ATMA1

PLN 8,451*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 84 A PQFN8 80 V SMD 0,0059 oma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 84 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = NTTF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...

onsemi

NTTFS5D9N08HTWG

od PLN 3,453*
za szt.

Infineon IPB083N15N5LF tranzystor 150 V (1 Oferta)

Infineon

IPB083N15N5LFATMA1

od PLN 12,691*
za szt.

Infineon IPP048N12N3 G tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

IPP048N12N3GXKSA1

od PLN 7,47*
za szt.

Infineon IPG20N10S4L-35A tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1

PLN 1,89*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 180A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipol...

IXYS

IXFX180N15P

od PLN 41,41*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 270 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.002 o (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 270 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

Infineon

AUIRF2804STRL

PLN 10,359*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 128A; Idm: 240A; 125W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 128A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: un...

Vishay

SUM80090E-GE3

od PLN 7,74*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 9 A PG-HDSOP-22 600 V SMD, montaż powierzchniowy (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-HDSOP-22 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005559296

PLN 13,736*
za szt.

Infineon IPD082N10N3 G tranzystor 150 V (2 ofert)

Infineon

IPD082N10N3GATMA1

od PLN 3,263*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 12 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0015 O. (2 ofert)

Infineon

IPB015N04NGATMA1

od PLN 7,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3 (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...

Infineon

IPB036N12N3GATMA1

od PLN 8,577*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 .. 1394 Dalej

Tranzystor (20 902 ofert spośród 4 918 884 artykułów)

"Tranzystor"