![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 0,196* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTA124EE3HZGTL |
od PLN 0,73* za 5 szt. |
|
|
|
Infineon IPP320N20N3GXKSA1 |
od PLN 7,62* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTA143ZU3T106 |
od PLN 0,475* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,95* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,0778* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 22ns ... |
|
od PLN 13,99* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 200V, 56A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB260NPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=56 A, Czas narastania=64 ns, Czas opadania=50 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=52 ns, Czas opóźnienia włączenia=17 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 5,181* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,21* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTA143EU3HZGT106 |
od PLN 370,32* za 3 000 szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO263-3 250 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczb... |
|
od PLN 8,171* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,73* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,022* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTA143EE3HZGTL |
od PLN 0,73* za 5 szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 188 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż... |
|
od PLN 7,194* za szt. |
|
|