Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP19NC60HD |
od PLN 6,80*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 8,80*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 10A, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR120NTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=23 ns, Czas opóźnienia włączenia=4 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 0,95*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,207*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 49A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 31ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30GP60BG |
od PLN 39,95*
za szt. |
| |
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF820 (3 ofert) Tranzystor FET Vishay IRF820PBF | Tranzystory MOSFET są elementami sterowanymi napięciowo i mogą być podłączane bezpośrednio do wielkooporowych źródeł. Dlatego nadają się do stosowania jako przełąc... |
|
od PLN 1,72*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,33*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMH53T2R |
od PLN 0,184*
za szt. |
| |
IGBT Ic 41 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 166 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 41 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 166 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu... |
|
od PLN 6,03*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 4.5A, TO-220AB (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=4.5 A, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=16 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=42 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.2 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 2,43*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 10A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL520NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=23 ns, Czas opóźnienia włączenia=4 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,78*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,18*
za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 111 W Typ opakowania = PG-TO247-3-AI Li... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 15,433*
za szt. |
| |
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF840A (3 ofert) MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF840APBF | Dane techniczne: C(ISS): 1018 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 8 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: VIS · Maksymalna temperatura robocza: +1... |
|
od PLN 3,69*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 120A, TO-247AC (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP4110PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=67 ns, Czas opadania=88 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=78 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 18,80*
za szt. |
| |
|
