Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 11,86* za 10 szt. |
| |
|
|
od PLN 15,15* za 100 szt. |
| |
|
|
od PLN 1,93* za 10 szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor UMT1NTN |
od PLN 2,965* za 25 szt. |
| |
|
|
od PLN 2,64* za 5 szt. |
| |
|
|
od PLN 664,21* za szt. |
| |
|
|
od PLN 1 047,89* za szt. |
| |
Diotec 2SC2983 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (2 ofert) Tranzystor (BJT) - dykretny Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 15 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 160 V · Prąd kolektora I(C): 1500 mA · Saturacja VCE (maks.): 1500 mV · Sposób montażu: mon... |
|
od PLN 0,99* za szt. |
| |
|
|
od PLN 240,49* za szt. |
| |
|
|
od PLN 31,782* za 5 szt. |
| |
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 100A, SOT-227B (3 ofert) Tranzystor IGBT, Typ=IXA70I1200NA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))... |
|
od PLN 117,38* za szt. |
| |
Diotec 2SA1012R Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) Tranzystor (BJT) - dykretny Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 1 MHz · Moc (maks) P(TOT): 5 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): -50 V · Prąd kolektora I(C): -5000 mA · Saturacja VCE (m... |
|
od PLN 3,31* za szt. |
| |
|
|
od PLN 402,59* za szt. |
| |
|
|
od PLN 31,412* za 5 szt. |
| |
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 105A, SOT-227B (3 ofert) Tranzystor IGBT, Typ=IXYN82N120C3H1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=105 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat... |
|
od PLN 155,324* za szt. |
| |
|