Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 821 ofert spośród 5 017 986 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 (TO-236AB) 50 V Montaż powierzchniowy 20 mA PDTC115ET,215 (1 Oferta) 
Tranzystory cyfrowe NPN z podwójnym rezystorem, nieprzyjemne wrażenia. Nexperia
Nexperia
PDTC115ET
od PLN 333,27*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-ECONOD-3 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolekto...
Infineon
FF450R06ME3
od PLN 713,21*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BDP953H6327XTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory mocy INFINEON SMD BDP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
Infineon
BDP953H6327XTSA1
od PLN 3 560,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 1.6kV, 30A, TO-247 (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IHW30N160R5XKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=30 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.6 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sa...
Infineon
IHW30N160R5XKSA1
od PLN 13,095*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTC143ZCAHZGT116 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów...
ROHM Semiconductor
DTC143ZCAHZGT116
od PLN 0,146*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 90A Prąd kolektora w impulsie: 420A Moc...
IXYS
IXYN100N65C3H1
od PLN 98,07*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BFN26E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory wysokonapięciowe SMD BCX_, BF_, Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej r...
Infineon
BFN26E6327HTSA1
od PLN 638,46*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 500 mA DTD123YCHZGT116 (2 ofert) 
Cyfrowy tranzystor ROHM z wbudowanym rezystorem, który umożliwia konfigurację obwodu przemiennika bez podłączania zewnętrznego rezystora wejściowego. Jest używany w falowniku, interfejsie i sterown...
ROHM Semiconductor
DTD123YCHZGT116
od PLN 0,197*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
IHW30N110R3FKSA1
od PLN 10,83*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BFN27E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory wysokonapięciowe SMD BCX_, BF_, Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej r...
Infineon
BFN27E6327HTSA1
od PLN 448,76*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 (TO-236AB) 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA PDTC143TT,215 (1 Oferta) 
Tranzystory cyfrowe z jednym rezystorem Nexperia
Nexperia
PDTC143TT
od PLN 294,24*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 652 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46
Infineon
IKQ50N120CH3XKSA1
od PLN 31,747*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 25 V Montaż powierzchniowy 200 mA MMBT4124LT1G (2 ofert) 
Tranzystor bipolarny NPN jest przeznaczony do zastosowań liniowych i przełączających. Urządzenie jest umieszczone w obudowie SOT-23, która jest przeznaczona do montażu powierzchniowego o niższej mo...
onsemi
MMBT4124LT1G
od PLN 0,09*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 83A Prąd kolektora w impulsie: 2...
Powersem
PSI 130/06
od PLN 125,94*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA PDTC123YT,215 (1 Oferta) 
Tranzystory cyfrowe NPN z podwójnym rezystorem, nieprzyjemne wrażenia. Nexperia
Nexperia
PDTC123YT
od PLN 311,40*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   261   262   263   264   265   266   267   268   269   270   271   ..   1389   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.