Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 813 ofert spośród 5 040 012 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG70N60AEF-GE3
od PLN 37,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG050N60E-GE3
od PLN 28,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 309mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: uni...
Vishay
SIHD14N60E-GE3
od PLN 5,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 143mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polaryza...
ROHM Semiconductor
R6030JNZ4C13
od PLN 16,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3A; 70W; ITO220AB (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: ITO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 196mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM60NC196CI C0G
od PLN 9,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FCH070N60E
od PLN 21,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 309mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHP14N60E-GE3
od PLN 6,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 320mA; Idm: 2,6A; 1W; HVMDIP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: HVMDIP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipola...
Vishay
IRFDC20PBF
od PLN 2,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,5A; 50W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60N900CH C5G
od PLN 4,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 312W Polaryz...
ST Microelectronics
STWA60N043DM9
od PLN 31,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,5A; 56W; ITO220AB (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: ITO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,285Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 56W Po...
Taiwan Semiconductor
TSM60NE285CIT C0G
od PLN 7,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHP050N60E-GE3
od PLN 26,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 42A; 357W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 84mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryz...
Taiwan Semiconductor
TSM60NE084PW C0G
od PLN 25,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NTHL041N60S5H
od PLN 23,609*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHF15N60E-GE3
od PLN 7,34*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1201   1202   1203   1204   1205   1206   1207   1208   1209   1210   1211   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.