Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolarny; 30V; 120A; 300W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
ST Microelectronics
STP200NF03
od PLN 5,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 100V; 70A; 150W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STB100N10F7
od PLN 5,091*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 75V; 70A; Idm: 320A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STB75NF75T4
od PLN 4,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 71A; 428W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 428W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M20120Q
od PLN 71,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 1050V; 46A; 625W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 1,05kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
ST Microelectronics
STY50N105DK5
od PLN 77,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 100V; 76A; 150W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryza...
ST Microelectronics
STP110N10F7
od PLN 6,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 75V; 120A; Idm: 480A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330W Polaryza...
ST Microelectronics
STP160N75F3
od PLN 7,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC017SMA120B4
od PLN 155,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; Idm: 70A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STP20N95K5
od PLN 16,066*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 80V; 180A; 315W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 315W Polary...
ST Microelectronics
STP270N8F7
od PLN 15,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 12,3A; 40W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polar...
ST Microelectronics
STF25N80K5
od PLN 15,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 89,3A; Idm: 267,9A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 89,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W Pol...
Infineon
IMW120R014M1HXKSA1
od PLN 100,084*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolarny; 200V; 11,2A; Idm: 30A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W Polaryza...
Vishay
SISS98DN-T1-GE3
od PLN 3,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolarny; 40V; 80A; Idm: 320A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryz...
ST Microelectronics
STP120N4F6
od PLN 5,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 8,8A; Idm: 56A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,375Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Pola...
ST Microelectronics
STP15N80K5
od PLN 7,849*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1081   1082   1083   1084   1085   1086   1087   1088   1089   1090   1091   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.