Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 087 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 300A Typ tranzystora: IGBT Mo...
ST Microelectronics
STGW80H65DFB-4
od PLN 22,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 40/60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,9/3,35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20,2/40W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SIZ926DT-T1-GE3
od PLN 3,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 62ns Cz...
ROHM Semiconductor
RGS80TS65DHRC11
od PLN 16,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 6A; Idm: 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 14,8W Polaryza...
Vishay
SIS932EDN-T1-GE3
od PLN 1,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 105A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:...
IXYS
MMIX1G120N120A3V1
od PLN 210,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A; 44,4W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44,4W Polary...
Vishay
SISF02DN-T1-GE3
od PLN 2,422*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Moc ...
ST Microelectronics
STGB40H65FB
od PLN 9,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,9W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SQ4282EY-T1_BE3
od PLN 11 270,60*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 3...
IXYS
MMIX1X200N60B3
od PLN 127,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 16A; 29/66W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5/8,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 29/66W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ902DT-T1-GE3
od PLN 10 970,25*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 48A; 33W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,3/12,25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Rod...
Vishay
SIZ240DT-T1-GE3
od PLN 2,017*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 295A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 119ns Czas wyłączania:...
IXYS
MMIX1X340N65B4
od PLN 152,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 30A; 16,7W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Vishay
SIZ348DT-T1-GE3
od PLN 1,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Mo...
ST Microelectronics
STGW40H65DFB-4
od PLN 13,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 80V; 24,7A; 33W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 24,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIZ260DT-T1-GE3
od PLN 9,095*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1031   1032   1033   1034   1035   1036   1037   1038   1039   1040   1041   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.