![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 300A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGW80H65DFB-4 |
od PLN 22,42* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,05* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 62ns Cz... |
ROHM Semiconductor RGS80TS65DHRC11 |
od PLN 16,66* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,06* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 105A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 210,39* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,422* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGB40H65FB |
od PLN 9,73* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11 270,60* za 2 500 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 127,66* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10 970,25* za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,017* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 295A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 119ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 152,77* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,53* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGW40H65DFB-4 |
od PLN 13,24* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,095* za 5 szt. |
|
|